协同网络创新平台服务，让科研更成功

Ⅳ族FCC晶体基态结构和电子性质第一性原理研究

Abstract: 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,在广义梯度近似下,计算了Ⅳ族元素晶体的面心立方结构和电子性质.结果表明：Ⅳ族元素晶体的面心立方结构均可存在,面心立方结构Ge晶体的结合能最大,结构最稳定；面心立方结构 C、Si、Ge 和 Sn 的晶格常数分别为0.3509nm 、0.4322nm、0.4225nm、0.4903nm,不随原子序数的增加而单调增加,是由面心立方锗晶体比面心立方硅晶体中电子云交叠小,产生的排斥较弱所导致的；面心立方结构C晶体是间接能隙为6.5eV的宽禁带半导体,面心立方结构Si晶体的导带和价带存在较小的交叠而呈现出半金属性,面心立方结构Ge和Sn的电子结构相似均表现为金属性,Ⅳ族元素面心立方结构晶体的电学性质由宽禁带半导体向金属转变.
Full Text and Attachments: 
  • No.
    File Name
    Action
  • 1
    Ⅳ族FCC晶体基态结构和电子性质第一性原理研究.pdf [Fulltext]
    Download