1995年9月考入西北工业大学材料系。1999年7月获学士学位。同年9月，进入西北工业大学凝固技术国家重点实验室攻读研究生，从事化合物半导体的晶体生长及性能表征研究，并分别于2001年3月和2004年5月获得材料学工学硕士和博士学位。其博士论文获得2006年全国优秀博士论文。2004年5月至2005年5月，作为高级研究员在通用电气全球研发中心从事光电半导体器件的研究开发工作。2005年5月至2007年4月，获得日本学术振兴会的资助，作为外国人特别研究员（JSPS）在日本东京大学生产技术研究所从事III族氮化物制备及LED器件的研究工作。2007年4月至2010年2月，作为英国皇家学会研究员，在牛津大学材料系从事III族氮化物材料生长及缺陷研究。自2010年2月起，作为引进人才加入华南理工大学材料科学与工程学院，任教授、博士生导师。 近五年来，取得的与本课题有关的主要学术成绩包括： 一. 创新性研究成果 1. 首次实现了高质量非极性氮化物单晶薄膜在LGO衬底上的成长，并完成了相关LED器件的试制。国际著名期刊Chemical Communications 对该研究成果给予了非常高的评价。该结果被作为Chemical Communications的封面文章进行报道。 2. 首次实现了氮化物单晶薄膜在金属钨衬底上的生长。这对于开发低成本高功率氮化物LED具有非常重要的意义。并根据该成果，提出了“金属－单晶AlN薄膜－金属”的三明治结构。该结构将可用于制作可精确控制工作频率的声波滤波器，从而制造出新一代的高性能无线移动通信设备。 3. 首次实现了GaN和AlN单晶薄膜在尖晶石（MgAl2O4）衬底上的室温生长，使室温下生长的氮化物单晶薄膜缺陷密度低于传统的MOCVD或MBE在高温下生长的氮化物缺陷密度。并完成相关LED器件的制作。国际氮化物研究方面的权威赤崎勇教授指出，这一研究成果解决了GaN基LED器件制造中的外延薄膜与衬底在热膨胀系数的差异带来的问题。并预测该成果必将在LED器件制造领域产生深远的影响。 4. 深入研究了LED外延生长过程中衬底与外延层的界面反应行为，提出了界面反应的控制机理。获得了无界面反应的氮化物薄膜的外延生长。 5. 提出了改进的垂直布里奇曼法并生长出大直径高质量CdZnTe 单晶。建立了II-VI 族化合物中缺陷对红外光的吸收机理，提出了一种无损的对该类晶体的光学和电学性能进行综合评价的方法。发明了此类晶体的液相介质退火改性工艺。 相关成果分别获得2006年“全国百篇优秀博士论文”、2006年“教育部科技进步二等奖”、以及2009年“陕西省科学技术奖二等奖”。这些研究成果也被国际同行高度评价。并受国际知名杂志Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials主编Prof. J.B. Mullin邀请，在该期刊上发表了篇幅为20页的综述。