杨少延，男，1973年5月生，中共党员，博士，博士生导师，研究员。1999年自吉林大学硕士毕业到中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室参加工作，曾任离子束外延组和超宽禁带半导体材料组组长，主要从事宽禁带半导体材料、器件及材料生长设备研究开发工作，熟悉科研项目、团队管理及研发平台建设工作。已发表论文162篇（通讯作者论文30多篇）；申请中国发明专利52项（已授权专利32项）；承担和参与各类科研项目20多项（其中，主持国家863项目4项，国家973项目3项，国家自然科学基金项目4项，中国科学院设备研制项目项2，国际合作交流项目1项，院地合作项目1项）。研究方向：（1）Ⅲ族氮化物（GaN、AlN）单晶衬底材料制备技术研究；（2）宽禁带与超宽禁带半导体材料、器件及物理研究；（3）半导体材料生长设备设计建造技术研究（如MOCVD、HVPE、PVT）。