2008年于新加坡国立大学获得材料科学与工程荣誉学士学位，2012年获得新加坡国立大学技术管理认证，2013年获得新加坡国立大学电气与计算机工程博士学位。博士期间在新加坡国立大学Silicon Nano Device Lab. 担任研发工程师，从事氮化镓功率器件的研究工作。主要研究内容包括: 氮化镓材料本身的表面钝化技术，AlGaN/GaN HFETs的应力效应技术，和在硅基和非硅基上的CMOS兼容的高压氮化镓器件。已经成功发表击穿电压1400伏的CMOS兼容的高压氮化镓器件,发表国际学术论文／会议文章共47篇（International Electron Device Meeting，IEEE Trans. Electron Devices，IEEE Electron Device Letters， Journal of Applied Physics, Applied Physics Letters， Scientific Report, Journal of Materials Chemistry A等）,其中第一作者/通信作者37篇。首次提出通过类金刚石的应力效应提高AlGaN/GaN HFETs的电子迁移率和改变阈值电压，并成功发表在2010年International Electron Device Meeting （IEDM）。IEDM会议是半导体研究领域最具有权威的会议之一。于2012年和南洋理工大学、香港科技大学共同发表的有关CMOS兼容的800伏硅基AlGaN/GaN HFETs的文章（X.Liu et al APEX 5 066501 2012），其被Applied Physics Express评为2012年5月下载次数最多的20篇文章之一。氮化镓器件的应力效应技术和CMOS兼容硅基氮化镓技术被国外知名报刊Semiconductor Today 分别在2010年12月和2012年6月报到。