王维彪，研究员，博士生导师。1962年10月出生。1986年毕业于苏州大学物理系；1986年进入中科院长春物理研究所攻读硕士学位，研究InGaAsP/InP红外半导体激光材料和激光阵列。1991年在中科院长春物理所获硕士学位并留所工作，从事长波红外激光器、红光超高亮度LED芯片等光电子材料和器件的研制工作。1997年考入本所攻读博士学位，1999年在中科院长春物理所获博士学位；2001年在中科院长春光机与物理所完成博士后工作出站。博士和博士后期间的工作是研究硅基及金刚石材料的场发射特性、金刚石膜场发射平板显示器件研制。<br>工作多年来，作为负责人承担过国家８６３计划项目（GaAlAs LED材料外延生长、金刚石场发射显示器件），国家自然科学基金、地方省科委等项目、中科院创新项目等10项；作为骨干和主要完成人参加过八五科技攻关项目、国家自然科学基金、地方省科委项目、中科院基金项目、国家重点实验室项目等近20项。研究范围包括InGaAsSb/InAs长波红外激光材料与器件、GaAlAs超高亮度发光二极管管芯材料外延生长、发光多孔硅材料的制备及发光特性、金属Mo微尖和硅微尖制备工艺和场发射特性、硅微尖上包覆金刚石、场发射特性以及影响金刚石场发射特性的因素、碳纳米管的制备和应用、金刚石和碳纳米管场发射平板显示原型器件、碳基强流冷阴极材料与器件、微显示器件和系统、光子晶体等许多方面。目前主要工作之一是探索新型冷阴极材料及新应用。工作至今，已发表论文100余篇。取得多项科研成果，获授权专利12项。指导研究生10名。