高玉竹，留日工学博士，现为同济大学电子与信息工程学院教授，是国家基金委项目评议人。主要研究领域为Ⅲ－Ⅴ族红外材料及探测器。在日本留学期间，发明了一种新的晶体生长方法－熔体外延（melt epitaxy），并用该方法生长出了截止波长8-12 um的InAsSb （铟砷锑）厚层单晶材料，在国际科学杂志上发表了一批论文，并在日本专利厅申请了发明专利（出愿番号：特愿平10-258304）。 回国后，已连续3次主持了国家自然科学基金项目（项目批准号：60376002、60644005、60777022）。在基金的资助下，继续了项目研究，在国内用熔体外延技术生长出了8-12 um波段的InAsSb 厚层单晶，研究了材料的结构、光学、及电学性质，并在陕西华星电子工业公司制作出了高灵敏度的长波InAsSb室温探测器。探测器为浸没型光导元件，安装了单晶Si（硅）光学透镜。 在日本滨松光子公司，用FTIR光谱仪测量了InAsSb室温探测器的光谱响应，并用标准黑体源测量了探测器的性能指标，获得了探测器的绝对光谱响应。测试条件如下：环境温度为300 K；黑体温度为500 K；调制频率为1200 Hz；外加偏置电流为10 mA。在室温下，浸没型InAsSb探测器的黑体探测率D*(500 K, 1200)为1.9 × 10的9次方 cm•Hz1/2W-1，在波长6.5 um处的峰值探测率Dλp*(6.5 um, 1200)达到5.3 × 10的9 次方cm•Hz1/2W-1，在波长8.0 um处的探测率D*(8.0 um, 1200)为1.5 × 10的8次方 cm•Hz1/2W-1， 在波长9 um处的探测率D*(9.0 um, 1200)为1.0 × 10的7次方 cm•Hz1/2W-1。探测器的性能指标已达到国际先进水平，显示了其在常温下应用于红外激光探测、红外系统、及红外成像的良好前景。 2007年11月，作为优秀留学人员，参加了中共上海市委组织部、上海市人事局主办的“第二届上海留学人员成果展”。2009年4月，“熔体外延法生长的8-12 um波段的InAsSb单晶” 成果，通过了专家组的鉴定，由中科院院士夏建白研究员担任鉴定专家组的组长。发表论文40余篇，其中SCI收录论文17篇，获授权国家发明专利1项（专利号：ZL200410099025.8）。