赵玲娟：中国科学院半导体研究所，研究员，博士生导师。1985年、1988年在天津大学电子工程系分别获理学学士、理学硕士学位；毕业后一直在中科院半导体研究所从事半导体激光器及相关集成器件的研究与开发。于1997年9月至1999年9月作为访问学者在美国Brookhaven National Lab工作两年。先后承担过863项目“宽带可调谐半导体激光器的研究与开发”以及“宽带波长可调谐激光器与半导体光放大器单片集成器件”、973项目“受迫谐振模式控制机理及时钟恢复集成器件研究”、自然科学基金重点项目“超高速光信号出了关键技术及集成器件研究”、“多波长锁模激光器集成芯片的研究”等项目。研制出了波长调谐范围达40nm的单片集成的半导体可调谐激光器、宽带可调谐激光器和电吸收调制器的单片集成以及宽带可调谐激光器和半导体光放大器的单片集成光子芯片。研制出了多种光时钟恢复集成器件，实现了40Gb/s信号、100Gb/s信号的全光时钟恢复。参与研究了10Gb/s－40Gb/s电吸收调制的DFB激光器的研究，规模集成激光器阵列集成发射芯片等的研究。参与完成了973项目“InP基光逻辑功能集成芯片材料研究”，国家自然基金重点项目: "光网络用光放大器、电吸收调制器和模斑转换器串接集成材料与器件的研究"等。获中国材料研究学会科学技术一等奖（半导体光电子功能材料集成技术平台，2006年，王圩;朱红亮;赵玲娟;周帆;潘教青;王宝军;边静）。<br>        目前主要研究方向：InP基光子集成芯片研究，内容包括高速DFB激光器、可调谐激光器、激光器阵列等发射器件；高速率的电吸收调制器，半导体光放大器，全光时钟恢复集成器件等光信息处理集成器件；以及光生微波信号、THz波及混沌信号等微波光子学集成器件。当前课题组拥有金属有机化学汽相沉积（MOCVD）的材料生长设备、微区光荧光测试分析设备、光电子器件的前后工艺设备以及光电子器件测试分析设备等，建立了以选区外延生长技术和量子阱混杂技术，各种光栅制作技术等为基础的光子集成器件研究与开发的技术平台，具备了研究大规模光子集成回路的基本条件。