韩伟华，理学博士，研究员，博士生导师，中国微米纳米技术学会会员。　  1998年7月在吉林大学电子工程系获理学硕士学位，主要研究GaAs量子阱超辐射发光二极管与光放大器的单片集成。 2001年7月在中国科学院半导体研究所获理学博士学位，主要研究SOI材料的键合理论和技术，并荣获中国科学院宝钢优秀学生奖。 2004年3月在日本北海道大学集成量子电子学研究中心完成博士后工作，主要从事了GaAs基单电子晶体管低温探测THz光子的研究工作。 2004年4月在中国科学院半导体研究所集成技术工程研究中心任副研究员，主要负责电子束曝光设备的运行和技术培训工作，并作为项目负责人，承担了国家自然科学基金等多项科研任务，完成了硅纳米结构晶体管的研制。 2009年1月晋升为研究员，作为项目负责人承担了国家科研任务，主要从事硅基CMOS神经元电路的开发研制、基于飞秒激光纳米光刻技术的GaN基HEMT器件和量子效应硅纳米线晶体管的研发工作。 在Appl. Phys. Lett., IEEE Electron. Device Lett., J. Appl. Phys, 《半导体学报》等国内外核心学术期刊发表学术论文70余篇，授权及申请专利19项，参加国内外学术会议20余次。多次作为国家自然科学基金项目评审人，《中国物理快报》、《半导体学报》审稿人等。