赵振宇自2005年攻读博士学位起至今一直专注与THz器件物理的研究，是目前德国THz中心唯一中国国籍会员(www.terahertzcenter.de)。负责人于2005年赴法国攻读博士学位时，参与了法国科研部项目 (项目编号：ANR-JC05-49530) , 主要从事半导体纳米结构中的THz波谱的研究。通过利用飞秒脉冲激光，研究了光学整流过程与其它非线性效应的竞争机制，发现了双光子吸收与光学整流的倒角度依赖关系；设计和制备微结构光导天线阵列，并且测定低温下的THz发射特性；合作完成了2.9 THz 中心波长的GaAs/AlGaAs量子级联激光增益特性的研究。参与人在德国马克斯•普朗克固体研究所从事博士后研究期间，参与了德国科研部（BMBF）TEKZAS 项目 (项目编号：13N9471) , Nano Futur Young Investigator Award (项目编号：03X5503A) ，开展了利用1.55微米光纤激光激发和探测THz波的工作。2010年，负责人赴德国波鸿鲁尔大学从事了1年THz-ASOPS技术的研究项目，并于2011年受聘奥地利Femtolasers激光技术公司，从事THz-TDS仪器化的开发工作。2012年9月起作为高端引进人才受聘上海师范大学数理学院，任副研究员，成为该校THz技术与应用学科的骨干，累计在Appl. Phys. Lett.、Opt. Express.、IEEE J. Sel. Top. Quant. Electron.、J. Phys. D: Appl. Phys.、Jpn. J. Appl. Phys.、Chin. Sci. Bull.等SCI/E期刊上发表了THz器件方面研究相关学术论文十余篇，并申报了两项发明专利，负责人掌握从器件的设计、制造、测量和数值模拟四个方面的核心技能与专业知识，对不同功能器件在THz波段的电磁响应特性有坚实的研究基础。