本人专注于利用量子力学方法计算研究宽禁带氧化物半导体、低维半导体材料与器件中与发光相关的一系列基本物理问题。这些基本物理问题直面半导体光电器件实际开发中最核心的关键科学问题。通过揭示凝聚态物质中的激发与能量转换过程,实现有效调控新型光电材料以获得最优异性质,促进前沿光电材料的开发与应用。具体研究方向包括:
1. 宽禁带氧化物半导体中缺陷、掺杂特性的表征及调控;
2. 低维半导体光电材料原子结构和电子性质的理论研究;
3. 半导体光电材料中激发态载流子动力学过程的理论模拟;
教育经历
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吉林大学
微电子学与固体电子学, 博士, 2009-09至2014-06
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Rensselaer Polytechnic Institute
Physics, 联合培养博士研究生, 2011-11至2013-10
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吉林大学
微电子学与固体电子学, 硕士, 2007-09至2009-06
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吉林大学
微电子学, 学士, 2003-09至2007-06