江德生。男，1940年9月21日生，江苏无锡人。中国科学院半导体研究所超晶格微结构国家重点实验室研究员，博士生导师。1963年毕业于南京大学物理系半导体物理专业。1963~1967年在北京中国科学院半导体研究所读研究生，毕业后留所工作，1990年起担任正研究员。他曾领导科研团队承担过许多项目的国家科研课题攻关任务， 取得了重要成果。他于1979~1981年首次公派在德国斯图加特马普学会固体研究所进修两年，以后多次在德国，法国，日本, 美国等国进行合作研究和讲学，并曾受邀在德国柏林德鲁特固体电子学研究所担任客座研究教授。2005年退休后，他被返聘在半导体所集成光电子中心工作，从事氮化镓基化合物材料、光学性质及器件等研究。<br>江德生和他的学生们重点研究半导体薄膜和量子阱、量子点等低维结构系统的光电子物理性质，量子阱子带间跃迁及红外探测器，氮化物材料、器件的结构和光学性质等。他因砷化镓半导体材料中杂质缺陷的红外研究，量子阱调制光谱研究，GaAs/AlAs 短周期超晶格中声子的拉曼光谱研究，GaAs/AlAs 超晶格的压力光谱研究，砷化镓中与氧有关的缺陷的红外研究等课题的工作。他在历年来曾获中国科学院自然科学奖二等及三等奖共5项。1999年获得国家自然科学奖三等奖一项，2009年获得国家自然科学奖二等奖一项。 在国内外学术刊物上共发表研究论文一百五十余篇。