陈建军，工学博士，副教授，硕士生导师，中国复合材料学会高级会员，浙江省"新世纪151人才工程"培养人员；获浙江理工大学浙江理工大学中青年拔尖人才支持计划；自2004年至今致力于一维SiC纳米材料的制备、光电性能及纳米复合材料方面的研究，在一维SiC纳米材料两步气-固反应生长机理的澄清、宏量制备、性能与应用研究方面取得了创新性的研究成果。近几年主持国家自然科学基金、浙江省自然科学基金、省科技厅项目和浙江大学硅材料国家重点实验室开放基金等各1项，并完成多项企业委托项目；共发表学术论文 30余篇，其中国际核心期刊（SCI收录）论文25篇；获授权国家发明专利18项，其中1项转让。统计到 2012 年2 月，所发表论文被引频次总计170次（被国内外的其他研究组引用次数145次）。 科学研究工作主要学术成果： 1. 高纯SiC纳米线的宏量、低成本制备 2. 由超长SiC纳米线构成的棉花状SiC材料制备 3. 提出碳热还原法SiC纳米线的两步气-固反应模式和氧辅助螺型位错生长机理 4. 多种形貌一维SiC纳米材料及阵列的可控制备；SiC纳米线的场致电子发射、光致发光、带隙特点和热稳定性等性能研究 5. SiC纳米线光催化性能研究及SiC纳米线高温气体传感器制备。 研究工作的主要创新点如下： 1．新技术方面：研制出一种采用碳热还原法宏量制备一维SiC纳米材料的技术； 2. 新机理方面：提出了碳热还原法SiC纳米线的两步气-固反应模式和氧辅助下的螺型位错生长机理，并以此机理成功的指导了SiC纳米线的宏量制备； 3. 新材料方面：成功地制备出由超长一维SiC纳米材料构成的棉花状SiC纳米线材料，并制备了多种形貌的一维SiC纳米材料。