2007年6月博士毕业于天津大学理学院材料物理与化学专业，其后十年依次在中国科学院上海硅酸盐研究所（博士后）、韩国光州科学技术院（博士后/签约教授）和澳大利亚国立大学（研究人员）全职从事氧化物薄膜忆阻器及其应用方面的研究工作。2017年3月加入天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室。现已发表SCI收录学术论文80余篇，发表在Advanced Functional Materials、Physical Review Applied、Nanotechnology、Applied Physics Letters、IEEE Electron Device Letters等国际知名期刊。SCI他引1200余次，单篇最高他引63次，h因子=20。多次参加国际和国内学术会议，并作口头报告。已授权美国专利2项，中国发明专利3项。现在的研究兴趣是用忆阻器构建神经元以及神经元之间的突触电子元件，并且制备和模拟用于振荡神经网络的氧化物基同步振荡器件，该方向目前在国际上的主要应用前景是神经形态计算，即脑科学，是当前跨学科研究热点之一。