黄森，男，1980年11月生，中国科学院微电子研究所副研究员。2009年获北京大学物理学院博士学位，2009-2012年在香港科技大学电子与计算机工程系做博士后，主要从事Si衬底上GaN基功率电子器件工艺、先进表征技术和器件物理研究。2004年迄今一直从事GaN基材料和器件物理研究，在GaN基增强型HEMT器件以及MIS-HEMT器件的表面钝化和可靠性机理研究方面取得了重要进展。2012年利用等离子体增强原子层沉积(PEALD)低温下在GaN基HEMT上外延出近似单晶的AlN薄膜，突破了传统PECVD-SiN钝化在高压器件电流坍塌效应抑制方面的局限；首次提出利用具有极化特性的钝化薄膜抑制GaN基HEMT器件的表面态充放电概念，得到国际同行的认可。目前主持国家自然基金面上项目一项，发表SCI收录论文50多篇， 包括国际电子器件会议(IEDM)，IEEE EDL，IEEE TED，APL，JAP 等主流应用物理和器件学术期刊，论文被引用超过300次，获得授权美国专利一项。