张峰，男，教授/博士生导师，理学博士，青年“973”项目首席科学家。SiC功率器件：率先成功研制10kV SiC p沟道IGBT高压器件，工业级1200V SiC MOSFET功率器件，成功将146μm外延SiC的少子寿命提高到9微秒以上，并应用到超高压SiC器件中规模生产。将微孔结构应用到SiC PiN和APD紫外光电器件，其量子效率达到70%的国际最高水平。负责国家“973”计划、“863”计划、国家自然科学基金、国家科学挑战专题等项目。国际权威SCI刊物上发表文章90余篇，授权专利20余项。