高博，男，1983年出生，中国科学院微电子研究副研究员，博士，毕业于中国<br>科学院新疆理化技术研究所辐射物理课题组。主要从事MOS器件、VDMOS、FPGA、存储器等器件的辐射损伤效应、机理及评估方法方面的研究工作。目前，承担国家自然科学基金一项，作为技术骨干参与总装多款抗辐照功率VDMOS器件的研制任务，部分产品已完成设计定型，性能达到国际先进水平
教育经历
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Graduate University of Chinese Academy of Scienc
2006-09至2011-06
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中国科学院研究生院
2006-08至2011-06
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