参与和承担了“氮化镓激光器”、“氮化镓紫外探测器”“GaN/Si基材料生长与研究”等多项863 项目的研究，主要从事GaN/Si(111)材料、GaN/Al2O3、AlGaN/GaN 超晶格材料以及InGaN/GaN 量子阱、AlInN材料等的生长与分析。成功制备了GaN 基激光器结构外延片；在此基础上中科院半导体所制备出了国内第一个GaN/Si基的蓝光LED外延片，实现了中国大陆第一只GaN基脉冲激射和室温连续工作激光器的成功研制。<br>在十五期间独立承担和完成了863项目“高效大功率半导体灯用近紫外LED生产技术研究”。2006年到2008年间承担了自然科学基金项目“AlInN 材料的MOCVD 生长与应用研究”（批准号 60576003，2006,1-2008,12）和《富In条件下生长模式对AlInN晶体质量的影响》，批准号61176126（2012-2015），顺利完成，最终评定结果为优。2007到2009年间，承担了中科院重大科研装备研制项目“III族氮化物生长用原子层化学气相淀积系统”，设计并研制成功了兼具原子层外延和MOCVD外延优点的外延生长系统，尤其适合于生长高Al组份的三族氮化物。<br>目前承担的主要有自然科学基金项目《AlIn（Ga）N外延生长中的扩散问题》，批准号61574134（2016-2019）。