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摘要
为了减小单粒子效应对低电压差分信号(Low Voltage Differential Signal, LVDS)驱动器电路的影响，对LVDS内部模块电路进行单粒子脉冲仿真，找出电路中单粒子敏感节点，并进行单粒子加固设计。该电路基于0.18μm 1P5M CMOS工艺实现，传输速率为200Mbps，版图面积为464×351μm2，在3.3V电源电压下功耗为11.5mW。辐射试验采用Ge粒子试验，在入射能量为210MeV，线性能量转移LET为37.3MeV·cm2/mg辐射情况下，该LVDS驱动器电路传输数据未发生错误。
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