摘要

采用第一性原理密度泛函理论模拟研究了氰基和氧改性的单层石墨相氮化碳(g-C3N4)结构模型、禁带宽度、态密度(DOS)和分波态密度(PDOS),以及氧气在其表面上的吸附行为.在Dmol3模块中建立了g-C3N4、氰基改性g-C3N4和氧掺杂g-C3N4结构模型.相对g-C3N4,氰基改性g-C3N4和氧掺杂g-C3N4的价带位置没有移动,导带位置均下移.基于氧气在g-C3N4、氰基改性g-C3N4和氧掺杂g-C3N4的吸附能和吸附后O-O键长,系统分析了氧气在其表面上的吸附行为.结果表明氧气在催化剂表面的吸附均为物理吸附.