总剂量辐射下几何尺寸对8型栅NMOS的影响研究

作者：吴昱操; 罗萍^*; 蒋鹏凯

来源：微电子学, 2021, 51(03): 429-433.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.200395

• 8型栅NMOS
• 辐射总剂量
• 几何尺寸
• 关态漏电流
• 饱和漏极电流
• 阈值电压

对不同几何尺寸的8型栅NMOS,在受到总剂量辐射影响时其电参数特性的损伤或退化特性,以及与常规结构抗总剂量能力或参数损伤变化比较的异同进行了研究。研究结果表明,栅源重叠宽度和宽长比对8型栅关态漏电流的影响相比直栅可以忽略不计;任一几何尺寸8型栅NMOS饱和漏极电流在不同辐射总剂量下相比直栅有着良好的稳定性。同时,小宽长比8型栅饱和漏极电流的差异来源于栅源重叠宽度的不同,大宽长比8型栅饱和漏极电流的大小不再受到栅源重叠宽度的影响;180 nm工艺下不同几何尺寸8型的栅阈值电压在测试中都稳定在0.41 V,显著优于直栅。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学