基于VAD法制备的低水峰G.657.B3光纤设计与性能研究

作者：吴椿烽; 陈京京; 钱宜刚^*; 陈娅丽; 沈一春

来源：光通信技术, 2021, 45(06): 43-47.

DOI：10.13921/j.cnki.issn1002-5561.2021.06.011

• 气相轴向沉积法
• 光纤
• 折射率剖面
• 弯曲损耗
• 截止波长
• 羟基(OH-)
• 高斯分布

为了研究G.657.B3光纤的折射率剖面结构对光学性能的影响,通过设计凹陷沟槽结构的折射率剖面和相应剖面参数(b a值、c、Δnc-和Δn+),并以适宜的气相轴向沉积(VAD)法工艺、熔融技术以及拉丝条件改善光纤的弯曲损耗,满足光纤传输所需的截止波长、模场直径和低水峰的要求。将工艺优化后所制备的光纤预制棒进行拉丝与测试,结果表明:光纤在1383 nm波长处水峰值降低至0.278 d B/km;在1550 nm、1625 nm波长处,弯曲半径为5 mm绕1圈时的宏弯典型值分别是0.081 d B、0.188 d B,完全满足ITU-T G.657.B3的指标需求。