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摘要
台阶高度是半导体技术中重要的工艺参数，其准确度直接影响器件的整体性能。为了精确控制和表征台阶高度参数，制备了一套8 nm～50μm的台阶高度标准进行测量技术研究。首先，通过半导体热氧化工艺、反应离子刻蚀工艺制备台阶标准。其次，基于白光干涉仪评估台阶上下表面平行度、表面粗糙度、均匀性和稳定性四项质量参数。结果表明，台阶上下表面平行度为0.4′～2.7°,标准台阶表面粗糙度为0.46 nm～6.50 nm,台阶两侧表面粗糙度为0.44 nm～0.46 nm;均匀性为0.5 nm～5.9 nm,稳定性为0.2 nm～11.2 nm。最后，与美国VLSI相同标称高度的台阶标准相比，标称高度为50μm的台阶标准表面粗糙度较差，均匀性略好，其余质量参数均相当。
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