高精度低噪声的低压差线性稳压器设计

作者：王宇星

来源：半导体技术, 2020, 45(05): 345-351.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2020.05.003

• 低压差(LDO)线性稳压器
• 电源抑制比(PSRR)
• 带隙基准
• 误差放大器
• 静态电流

为提高电子产品供电性能,设计了一款具有高电源抑制比(PSRR)、超低静态电流、宽输入电压范围的低压差(LDO)线性稳压器。该电路采用预调节和噪声抵消技术,利用Cadence工具SMIC 0.35μm CMOS工艺,完成了整体电路的设计与仿真,并进行了流片。仿真结果显示,LDO线性稳压器输出线性调整率为0.05%/V,负载调整率为5.5%,温度系数为1.8×10-5/℃;10 GHz带宽以内的电源抑制比在低频下能达到98 dB,静态电流最高仅为32μA。测试结果表明,芯片可以在3.3～40 V电源电压下正常工作,输出电压为3.3或5 V,最大负载电流为150 mA,可应用于USB和便携电子产品等多种设备。

• 单位
  无锡科技职业学院; 枣庄科技职业学院