摘要

分别以柠檬酸、葡萄糖、L-抗坏血酸为碳源,乙二胺为氮源,采用水热法制备出掺氮碳量子点(N-CQDs)。通过透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射能谱(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)等对N-CQDs进行表面形貌、结构、化学组成等表征,并计算荧光量子产率。采用浸渍法将具有最大荧光量子产率的N-CQDs整理到涤纶织物上,探讨整理工艺对涤纶织物抗静电性能的影响。结果表明:以柠檬酸为碳源制备的N-CQDs平均粒径为2.30 nm,分布均匀,为非结晶态,并且表面有大量亲水基团,荧光量子产率为78.1%。当整理工艺为N-CQDs用量50 g/L、130℃、40 min时,整理效果最佳,N-CQDs在涤纶织物上分布均匀,抗静电性能显著提高,半衰期等级为A级。