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摘要
在半导体行业的"后摩尔时代",人们把目光投放到二维材料上。其中过渡金属硫族化合物有一特殊成员──二硫化铼(Re S2),其有各向异性结构,能带间隙不随层数变化始终保持直接带隙,在微纳电子方面有很大的应用前景。但由于金属铼的熔点高(熔点:～3180℃),致使CVD合成二硫化铼所需反应温度高,制备二硫化铼的可重复率低,不利于二硫化铼的研究应用。鉴于上述原因,我们研究了在云母片上使用二硫化氢(H2S)作硫源与三氧化铼在450℃相对低温下反应得到单层R e S2晶体,而且通过精准控制H2S的量,明显提高了制备二硫化铼的可重复率。
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单位温州大学; 化学与材料工程学院
