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摘要
硅晶片是一种在集成电路及光伏太阳能等行业的应用非常广泛的材料,而隐形缺陷是影响太阳能电池用硅晶片质量的重要因素之一。在硅晶片外因诱导光子辐射复合理论基础上,通过将硅晶片电致发光检测结果与硅晶片I-V特性检测结果进行对比分析,验证了所开发检测系统的可靠性和准确性,证明所开发的隐型缺陷检测成像系统可以应用于太阳能电池组件隐型缺陷检测,是一种性价高且在具有良好市场应用前景的检测技术。
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硅晶片是一种在集成电路及光伏太阳能等行业的应用非常广泛的材料,而隐形缺陷是影响太阳能电池用硅晶片质量的重要因素之一。在硅晶片外因诱导光子辐射复合理论基础上,通过将硅晶片电致发光检测结果与硅晶片I-V特性检测结果进行对比分析,验证了所开发检测系统的可靠性和准确性,证明所开发的隐型缺陷检测成像系统可以应用于太阳能电池组件隐型缺陷检测,是一种性价高且在具有良好市场应用前景的检测技术。
