冷等静压压强对激光选区烧结制备多孔SiC((w))/Si3N4陶瓷性能的影响

作者：李国锐; 吴甲民^*; 李晨辉; 陈安南; 刘荣臻; 袁定坤

来源：硅酸盐学报, 2019, 47(06): 782-788.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2019.06.11

• 氮化硅
• 碳化硅晶须
• 激光选区烧结
• 冷等静压
• 多孔陶瓷

利用激光选区烧结(SLS)技术制备多孔SiC((w))/Si3N4陶瓷素坯,对素坯进行冷等静压(CIP)处理以改善其性能,探索CIP压强对SLS制备的多孔SiC((w))/Si3N4陶瓷性能的影响。以Si3N4为原料,加入10%(质量分数)的SiC晶须,制备出适用于SLS的复合粉末,利用最佳SLS成型参数打印4组素坯,分别进行压强为100、150、200和250 MPa的CIP处理,经排胶及高温气氛烧结后得到多孔SiC((w))/Si3N4陶瓷。结果表明:随着CIP压强增大,素坯孔隙率减小,抗弯强度增大,而陶瓷的收缩率增大,孔隙率减小,抗弯强度增大。SiC((w))/Si3N4多孔陶瓷在250 MPa下性能最优,其Z方向收缩率、孔隙率和抗弯强度分别达到35.32%、41.19%和18.6 MPa。

• 单位
  华中科技大学; 材料成形与模具技术国家重点实验室