一种在深硅刻蚀工艺中减小底部圆角的方法

作者：林源为; 赵晋荣

来源：半导体技术, 2022, 47(01): 42-64.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.01.007

• 深硅刻蚀
• 减小底部圆角
• 硅微腔
• 硅通孔(TSV)
• 先进封装

由于存在化学刻蚀的各向同性作用,不可避免地会在等离子体深硅刻蚀工艺中出现底部圆角,而过大的底部圆角给许多工艺应用带来不利影响。为了减小在等离子体深硅刻蚀中的底部圆角,对埋入式扇出型封装中的硅微腔刻蚀和2.5D封装中的硅通孔(TSV)刻蚀进行了研究。通过在BOSCH工艺中引入偏置电极功率递增和单步沉积时间递增的组合,硅微腔和TSV中的底部圆角高度分别从13.6μm和12μm减小到了6.6～10.0μm和8.4μm。该方法有望实际应用于微电子机械系统(MEMS)器件的制造和电子器件的先进封装等领域。