AlGaN/GaN HEMT器件的光电特性研究

作者：葛明昌; 周国友; 陆志航

来源：电子元器件与信息技术, 2022, 6(07): 23-26+40.

DOI：10.19772/j.cnki.2096-4455.2022.7.007

• AlGaN/GaN HEMT
• 光电特性
• 雪崩倍增
• 光电探测器

本文采用Silvaco TCAD软件在海威华芯0.25μm AlGaN/GaN HEMT工艺和设计规则下建立了AlGaN/GaN HEMT的二维仿真模型，对AlGaN/GaN HEMT器件在有/无光照条件下进行了击穿特性的仿真和研究，结果表明器件的光电流可以达到暗电流的4000倍以上；采用脉冲响应法对AlGaN/GaN HEMT器件进行了光电响应速度的仿真，结果表明该器件可实现580Hz光脉冲到电脉冲的转换。因此，本文研究的常规非光电工艺AlGaN/GaN HEMT器件可以用来制作具有内部增益的雪崩型紫外光电探测器。

• 单位
  合肥工业大学