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摘要
采用分子束外延技术（MBE）在Si（111）衬底上生长了非掺杂和Si掺杂砷化镓（GaAs）纳米线（NWs）。通过扫描电子显微镜（SEM）证实了生长样品的一维性;通过X射线衍射（XRD）测试和拉曼光谱（Raman）证实了掺杂GaAs纳米线中Si的存在;通过光致发光（PL）研究了非掺杂和Si掺杂GaAs纳米线的发光来源,掺杂改变了GaAs纳米线的辐射复合机制。掺杂导致非掺杂纳米线中自由激子发光峰和纤锌矿/闪锌矿（WZ/ZB）混相结构引起的缺陷发光峰消失。
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单位高功率半导体激光国家重点实验室; 长春理工大学
