新型独立三栅FinFET单粒子瞬态效应TCAD分析

作者：韩燕燕; 孙亚宾; 李小进; 石艳玲

来源：微电子学, 2020, 50(05): 683-687.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.190658

• 独立三栅FinFET
• 三维数值TCAD仿真
• 重离子辐射
• 单粒子瞬态效应
• 反相器

针对独立三栅FinFET器件及其反相器的单粒子瞬态效应展开了深入研究。首先分析了N型独立三栅器件中最敏感区域的位置以及不同工作电压对器件敏感性的影响。然后,基于独立三栅器件独特的电流控制方式搭建五种不同工作模式的反相器单元,对重离子撞击NMOS下拉管最敏感区域的单粒子瞬态效应(SET)敏感性进行了比较。三维数值TCAD仿真结果表明,脉冲峰值电流与重离子在沟道中的路径体积成正比,且最敏感区域为漏与沟道之间的空间电荷区,工作电压会影响沟道势垒,从而影响器件的SET。另外,不同工作模式的反相器对改善抗辐照能力具有参考意义。

• 单位
  华东师范大学; 电子工程学院