TMR磁传感器磁通调制结构温度稳定性研究

作者：张君盛; 潘孟春; 胡佳飞; 杜青法; 孙琨; 张欣苗

来源：传感器与微系统, 2022, 41(12): 22-25.

DOI：10.13873/J.1000-9787(2022)12-0022-04

• 隧道磁电阻磁传感器
• 磁通调制
• 谐振控制
• 温漂补偿

隧道磁电阻(TMR)磁传感器在生物磁场、目标探测、地磁导航、无损检测等领域均有极大的发展潜力，但1/f噪声极大限制了其低频磁场探测能力。基于压电谐振的磁通调制结构能够将1/f噪声降低近2个量级，但其调制效率受温度影响明显。为提高调制结构的温度稳定性，提出了一种相幅双闭环温补控制方法。测试结果表明：调制结构在0～40℃的变温范围内振幅波动约为0.01%/℃,远低于补偿前的0.19%/℃,稳定性提升约19倍。

• 单位
  国防科技大学