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摘要
本发明提供一种GaN基增强型MISHEMT器件的制作方法及器件。所述方法包括在包含有衬底层、成核层、缓冲层、插入层、势垒层的外延基片上制备源电极和漏电极以及钝化层；在所述钝化层上制备通孔,在所述势垒层上制备凹槽,所述通孔和所述凹槽的开口相连通,形成所述钝化层和所述势垒层的界面；所述界面包括所述钝化层远离所述势垒层的一面、所述通孔的侧壁、所述凹槽的侧壁和所述凹槽的底面；在所述界面上制备阻挡层介质,形成所述介质势垒层界面；对所述阻挡层进行氧化处理,使得氧化气氛扩散到所述介质势垒层界面；在所述阻挡层上生长介质层；在介质层上依次制备栅极、保护层、金属互联。本发明能够改善MISHEMT器件的界面质量。
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