采用物理气相沉积法合成硒微米棒，并以银浆为电极制备了金属-半导体-金属结构的光电探测器。该光电探测器在3 V偏压和450 nm光照下具有快速的响应速度(上升时间=41 ms，下降时间=46 ms)，优异的响应度(18.32 m A/W)和探测率(1.65×108 Jones)。光谱测试表明器件具有从可见光到近红外的宽光谱探测能力(450～1 550 nm)。此外，该器件还可以在无偏压下进行自供能探测。本研究将进一步完善硒半导体在宽光谱光电探测中的应用和发展。
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