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摘要
在B3LYP//6-311++G（2df,2p）水平完成了对CH3CH2O与HO2反应各驻点物种的几何构型优化,并在相同水平上对相关物种进行了频率分析和内禀反应坐标（IRC）计算.为得到较准确的单点能信息,同时采用CCSD（T）/cc-pVTZ方法对反应途径中各驻点进行单点能校正.标题反应的单、三重态势能剖面图揭示,反应在单、三重态势能面上均有3条抽氢通道.其中单重态通道分别生成1CH3CHO+H2O2（R1）,CH3CH2OH+1 O2（R2）和1CH2CH2O+H2O2（R3）,三重态通道分别生成3CH3CHO+H2O2（R4）,CH3CH2OH+3O2（R5）和3CH2CH2O+H2O2（R6）;势垒高度揭示三重态在动力学和热力学上比单重态更具优势.200K1 200K区间内标题反应速率常数计算结果表明,除通道R5的速率常数几乎不随温度变化外,所有其他通道的速率常数均随温度升高而增大（即速率呈现正温度系数效应）,同时发现抽氢通道R5的分支比始终大于94%,因而是绝对优势通道.
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