磁控溅射反应法制备TiN纳米薄膜

作者：王槐乾; 姜宏伟^*

来源：真空, 2019, 56(04): 37-39.

DOI：10.13385/j.cnki.vacuum.2019.04.09

• TiN
• 磁控溅射
• N2流量
• N2气压

为研究N2压强以及流量在磁控溅射中对TiN薄膜生长的影响,通过改变N2气压以及流量使用射频磁控溅射设备在基片温度为300℃,时长2h下生长TiN薄膜。采用电子扫描显微镜(SEM)表征薄膜形貌,获得不同的TiN薄膜微观图像。通过改变工艺参数,可以制备具有不同微观形貌的TiN薄膜。

• 单位
  牡丹江师范学院