具有单层浮空场板的高压LDMOS器件研究

作者：文帅; 乔明

来源：电子与封装, 2015, 15(08): 34-37.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2015.0087

• LDMOS
• 浮空场板
• RESURF

通过器件仿真软件Silvaco对带单层浮空场板的高压LDMOS(Lateral Double-diffused MOSFET)器件进行了设计与优化。仿真结果表明:对于击穿电压为600 V的RESURF(reduced surface field)LDMOS器件,场板能够有效地优化器件表面电势分布,降低电场峰值,提高器件的击穿电压。其中场板的数量、长度等参数对高压RESURF-LDMOS器件的耐压有较大影响。并且场板结构增加了double RESURF器件P-top剂量的容差范围,影响了器件的导通电阻。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学