摘要
W掺杂M相VO_2(W-VO_2(M))发生热致半导体-金属相变的温度可低至室温,在智能窗领域应用潜力巨大。在“双碳”背景下,继续开展W-VO_2(M)合成及其在智能窗中的应用研究具有重要意义。从W单元素掺杂、含W共掺杂和核-壳结构含W掺杂3个方面系统梳理了W-VO_2(M)粉体的研究情况,分析了W、Ti共掺杂M相VO_2(W/Ti-VO_2(M))粉体研究的可行性。最后,提出W/Ti-VO_2(M)与Si O_2复合形成核-壳结构(W/Ti-VO_2(M)@Si O_2)粉体的研究思路。
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