W掺杂VO_2(M)粉体研究进展

作者：孙恒辉; 周汶燕; **; 袁新强; 蒋鹏; 张伟

来源：热加工工艺, 2023, 1-7.

• W掺杂
• VO_2(M)粉体
• 热致相变
• 智能窗

W掺杂M相VO_2(W-VO_2(M)）发生热致半导体-金属相变的温度可低至室温，在智能窗领域应用潜力巨大。在“双碳”背景下，继续开展W-VO_2(M)合成及其在智能窗中的应用研究具有重要意义。从W单元素掺杂、含W共掺杂和核-壳结构含W掺杂3个方面系统梳理了W-VO_2(M)粉体的研究情况，分析了W、Ti共掺杂M相VO_2(W/Ti-VO_2(M)）粉体研究的可行性。最后，提出W/Ti-VO_2(M)与Si O_2复合形成核-壳结构（W/Ti-VO_2(M)@Si O_2）粉体的研究思路。

• 单位
  陕西理工大学