一种降低反向漏电的氧化镓肖特基二极管及其制备方法

作者：郑雪峰; 苑子健; 洪悦华; 张翔宇; 何云龙; 马晓华; 郝跃

来源：2022-07-21, 中国, CN202210864500.4.

本发明公开了一种降低反向漏电的氧化镓肖特基二极管及其制备方法,主要解决现有技术无法做到无损深度刻蚀氧化镓衬底材料,无法有效降低器件反向漏电的问题。其自下而上,包括：阴极金属(1)、氧化镓衬底(2)、轻掺杂外延层(3),其中,轻掺杂外延层(3)以旋涂玻璃SOG作为刻蚀硬掩模,通过无损深度刻蚀形成深度为1～1.5μm的鳍型结构,该鳍型沟道的凹槽内及侧壁上沉积有氧化铝介质层(4),该氧化铝介质层(4)及轻掺杂外延层(3)的顶部沉积有阳极金属(5),该阳极金属(5)与轻掺杂外延层(3)形成肖特基接触,以降低器件反向漏电,提高器件性能,可用于通讯、电力电子、信号处理、航空航天的电子系统。

• 单位
  西安电子科技大学