脉冲直流PCVD技术在盲孔底部沉积Ti-Si-N薄膜

作者：马青松; 马胜利; 徐可为

来源：稀有金属材料与工程, 2005, (05): 738-741.

• 脉冲直流PCVD
• Ti-Si-N
• 复杂型腔 pulsed-d.c. PCVD
• Ti-Si-N
• complex-shaped surface mould

用脉冲直流等离子体辅助化学气相沉积(PCVD)技术在盲孔的底部获得Ti-Si-N薄膜。用扫描电子显微镜(SEM),X射线能量色散谱仪(EDX),X射线衍射仪(XRD),球痕法(ball-crater),显微硬度计(Hv)和涂层压入仪(Pc)分析不同盲孔深度处薄膜的微观结构和力学性能。结果表明,随着盲孔深度的增加,Ti-Si-N薄膜中Ti与Si元素相对比例降低,薄膜厚度下降,薄膜与基体的结合强度有很大提高,膜基复合显微硬度下降,而薄膜的本征硬度在盲孔深度为20mm处出现最大值。

• 单位
  西安交通大学; 金属材料强度国家重点实验室