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摘要
采用化学气相沉积(CVD)方法进行碳化硅(4H-SiC)同质外延生长，生长过程中温场分布是决定外延层质量的关键因素。对CVD系统的温场分布进行了仿真研究，并采用无偏角4H-SiC衬底进行同质外延生长实验验证。结果表明，无偏角4H-SiC外延层中的3C-SiC多型体夹杂与生长室温场分布密切相关。实验数据验证了仿真结果，两者的温度分布具有高度一致性，这也证明了仿真数据的有效性。
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单位中国科学院; 中国科学院半导体研究所; 中国科学院大学
