低温沉淀法制备针状Ni掺杂In_2O_3及其气敏性能研究

作者：周星宇; 方正; 李培^*

来源：传感器与微系统, 2021, 40(09): 14-17+21.

DOI：10.13873/J.1000-9787(2021)09-0014-04

• 针状形貌
• In_2O_3纳米粉体
• Ni掺杂
• 低温沉淀法
• 气敏性能

采用低温沉淀法分别制备了纯的In2O3和Ni掺杂的In2O3纳米粉体。通过XRD、SEM和TEM等手段进行微观结构表征,并对粉体的气敏性能进行测试。结果表明:Ni的掺杂对针状形貌的形成具有直接而重要的作用,纯的In2O3为颗粒状结构,Ni掺杂的In2O3(In︰Ni摩尔比为9︰1)由大量的长度为0.4μm左右、直径为5 nm左右的针状结构所组成。其中,In︰Ni摩尔比为9︰1时所得到的Ni掺杂的In2O3纳米粉体(样品S4)在260℃工作温度下对50×10-6 Cl2的灵敏度值为696.9±73.1,且具有选择性好、响应-恢复时间短等特性。最后,对可能的形貌生成机理进行了研究。

• 单位
  江西理工大学; 自动化学院