俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管效率衰退的影响（英文）

作者：王玮东; 楚春双^*; 张丹扬; 毕文刚; 张勇辉^*; 张紫辉

来源：发光学报, 2021, 42(07): 897-903.

• 深紫外发光二极管
• 俄歇复合
• 电子泄漏
• 空穴注入
• 效率衰退

研究了俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管（DUV LED）效率衰退的影响。结果表明,当俄歇复合系数从10-32 cm6·s-1增大到10-30 cm6·s-1时,俄歇复合对效率衰退的影响很小。当俄歇复合系数增大到10-29 cm6·s-1时,俄歇复合对效率衰退有显著的影响。然而,对于AlGaN材料而言,俄歇复合系数很难达到10-29 cm6·s-1。此外,本研究还发现,即使设置的俄歇复合系数等于10-32 cm6·s-1,DUV LED的效率衰退依旧随着电子泄漏的增加而增大。因此,这进一步证明了电子泄漏是导致DUV LED效率衰退的主要因素。此外,本工作还证明了空穴注入效率的提高可以有效地抑制DUV LED的效率衰退问题,这主要是由于更多的电子与空穴在量子阱中复合产生了光子,降低了电子从有源区中泄漏的几率。

• 单位
  河北工业大学; 电子信息工程学院