β-Ga2O3体单晶X射线光电子能谱分析

作者：程红娟; 张胜男; 练小正; 金雷; 徐永宽^*

来源：人工晶体学报, 2019, 48(01): 8-12.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2019.01.002

• β-Ga2O3晶体
• 导模法
• X射线光电子能谱分析
• 特征峰

通过对导模法制备的非故意掺杂、Si掺杂β-Ga2O3晶体和Si掺杂后退火处理的β-Ga2O3晶体进行了X射线光电子能谱分析(XPS),对比分析不同样品的Ga3d、Ga2p、O1s特征峰位和峰强度变化,并结合文献报道中β-Ga2O3薄膜及单晶材料的报道结果,进一步确认β-Ga2O3体单晶特征峰峰值。同时,通过对各峰强度的变化进行对比分析,对次峰产生的原因进行推测,获得Si掺杂及退火对晶体表面及晶体内部个特征峰的变化规律。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十六研究所