焦耳热效应、电击穿和应力对单根GaN纳米线I-V曲线的影响

作者：陈晓; 王岩国; 谷林; 张志华

来源：大连交通大学学报, 2019, 40(03): 92-96.

DOI：10.13291/j.cnki.djdxac.2019.03.018

• GaN纳米线
• I-V曲线
• 焦耳热效应
• 电击穿
• 压电效应

利用原位透射电子显微术,研究了单根GaN纳米线I-V曲线与热效应、电击穿和压电效应的关系.在透射电子显微镜内构建一个基于GaN纳米线的金属-半导体-金属结构,测量单根纳米线的I-V曲线.随着连续测量次数的增加,纳米线的温度升高,电流逐渐增加,且I-V曲线由最初的不对称逐渐变得近乎对称;纳米线在较低电压下长时间连续测量后被击穿,I-V曲线对测量次数不再敏感.将GaN纳米线压弯后,电流明显下降,压电效应明显.分析表明,单根纳米线测量时的时间间隔和接触应力情况等是I-V曲线变化的重要因素.本研究可为极性纳米线的原位电学性质研究提供实验参考.

• 单位
  大连交通大学; 中国科学院物理研究所