锗酸镉中镨的长余辉发光特性

作者：易守军; 刘应亮; 张静娴; 袁定胜; 容建华; 黄浪欢

来源：中国稀土学报, 2004, (02): 280-283.

• 发光学
• Cd2Ge7O16∶Pr3+
• 长余辉
• 电子陷阱
• 空穴陷阱
• 稀土 optics
• Gd_2Ge_7O_(16)∶Pr~(3+)
• afterglow
• electron trap
• hole trap
• rare earths

通过高温固相法在空气条件下制得Cd2Ge7O16∶Pr3+长余辉发光材料。测其结构为一单相。分析了Cd2Ge7O16,Cd2Ge7O16∶Pr3+的激发光谱和发射光谱,指出Cd2Ge7O16∶Pr3+的发光是Cd2Ge7O16本身和Pr3+离子发射产生,基质的发光是Cd2Ge7O16中有陷阱能级,电子从导带跃迁到陷阱能级而产生,Pr3+的发光是该离子的4f-4f跃迁产生的;并把该材料的长余辉性质归结为基质结构中有电子陷阱和空穴陷阱,电子陷阱和空穴陷阱分别能储存电子和空穴,从而产生余辉。并提出余辉机理模型。

• 单位
  暨南大学