深亚微米SOI工艺ESD防护器件设计

作者：米丹; 周昕杰; 周晓彬; 何正辉; 卢嘉昊

来源：电子与封装, 2021, 21(05): 60-66.

DOI：10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0509

• 深亚微米
• SOI工艺
• 自加热效应
• ESD防护器件
• 栅控二极管

在集成电路设计领域,绝缘体上硅(SOI)工艺以其较小的寄生效应、更快的速度,得到广泛应用。但由于SOI工艺器件的结构特点及自加热效应(SHE)的影响,其静电放电(ESD)防护器件设计成为一大技术难点。当工艺进入深亚微米技术节点,基于部分耗尽型SOI (PD-SOI)工艺的ESD防护器件设计尤为困难。为了提高深亚微米SOI工艺电路的可靠性,开展了分析研究。结合SOI工艺器件的结构特点,针对性地进行了ESD防护器件选择,合理设计了器件尺寸参数,并优化设计了器件版图。使用该设计的一款数字电路,通过了4.5 k V人体模型(HBM)的ESD测试。该设计有效解决了深亚微米SOI工艺ESD防护器件稳健性弱的问题。

• 单位
  中国电子科技集团公司