基于2μm双极工艺设计了全新的高速功率栅驱动电路，并内置了死区时间控制电路，该电路可以防止驱动器内部电源接地形成短路而烧毁器件。工作电压范围为5～35 V，传输上升延迟时间不大于25 ns，下降延迟时间不大于32 ns，上升、下降建立时间不超过12 ns，工作电流不超过45 mA。
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