基于增强型GaN HEMT的48V转1V负载点电源模块设计

作者：黄伟; 周德金; 许媛; 何宁业; 胡一波; 胡文新; 陈珍海

来源：电子元器件与信息技术, 2018, (11): 1-10.

DOI：10.19772/j.cnki.2096-4455.2018.11.001

• 增强型
• GaN HEMT
• 驱动电路
• 负载点
• 电源模块

为进一步提高现有功率变换系统的开关频率,本文基于增强型GaN HEMT器件,设计了一种48V转1V高频负载点开关电源模块电路。该负载点电源采用倍流整流半桥结构和新型栅驱动电路,实现增强型GaN HEMT器件的高速控制,进而实现开关速度的提升。测试结果表明:该负载点电源电路的开关频率超过600KHz,对于10A的驱动电流建立时间为600ns,验证了设计的有效性。

• 单位
  黄山市祁门新飞电子科技发展有限公司; 黄山学院