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摘要
首先利用化学气相沉积法，在300 nm SiO2/Si基底上生长MoS2材料，通过光学显微镜、扫描电镜、原子力显微镜、拉曼光谱及光致发光光谱等对材料进行表征，实验数据表明成功制备了高质量的单层MoS2材料.其次，制备了基于单层MoS2的场效应晶体管，结果表明器件的开关比约为1.0×107.最后测试了器件不同温度下的电学输运特性.结果表明器件在低温(T<100 K)时，其导电机制可以用变程跃迁模型解释，当在高温(T>100 K)时，器件的电学输运特性由近邻跃迁模型确定.这项工作有助于深入理解单层MoS2的电学输运特性及其在各种光电器件的应用.
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单位电子工程学院; 兰州城市学院
